功能特性：
本中心进行了优化ectifier自来水肖特基为低
在高温下反向漏。专有的障碍
技术可以使运行可靠达175°C交界处
温度。典型的应用于开关电源,转换器,续流二极管,反向电池保护。
175°C均操作
中心本着发掘配置
向前低电压降
高纯度、高温环氧树脂密封,提高机械强度和防潮
高频操作
保护环,为提高强度和长期的可靠性
种类结型(JFET)
参数特性：
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：MOS-INM/独立组件
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
材料：N-FET硅N沟道
开启电压：1（V）
夹断电压：1（V）
跨导：1（μS）
极间电容：1（pF）
低频噪声系数：1（dB）
最大漏极电流：1（mA）
最大耗散功率：1（mW）
联 系 人：夏先生 朱小姐
电话（Tel）: 86-755-82772189 82723761
传真（Fax）: 86-0755-82737687
Q Q: 1245773710 867789136 974337758 更多产品请登录：www.hengdayi.com
公司地址：深圳市福田区华强北上步工业区101栋西6楼616室
