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晶体管 SI4662DY-T1-E3

发布时间:2014/5/22 8:25:00 访问次数:335 发布企业:深圳市金嘉锐电子有限公司

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 30 V

闸/源击穿电压: +/- 20 V

漏极连续电流: 12.9 A

导通电阻: 10 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow

封装: Reel

商标: Vishay / Siliconix

下降时间: 15 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 3 W

产品种类: N-Channel MOSFETs

上升时间: 50 ns

工厂包装数量: 2500

典型关闭延迟时间: 26 ns

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