功能特性：
新革命高电压技术
超低门的费用
周期雪崩额定
极端的dv额定电压;
超低有效的电路
改进电导
P -到-220 - 3 - 31:完全隔离包(2500伏交流电;1分钟)
功能特性：
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：MOS-FBM/全桥组件
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
材料：N-FET硅N沟道
联 系 人：夏先生 朱小姐
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