C3M0040120K

SiCFET（碳化硅）


漏源电压（Vdss）
1200 V


25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
66A（Tc）


驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V


不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53.5 毫欧 @ 33.3A，15V


不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 9.2mA


不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
99 nC @ 15 V


Vgs（最大值）
+15V，-4V


不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 1000 V


FET 功能
-


功率耗散（最大值）
326W（Tc）


工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）


安装类型
通孔

封装
TO-247-4L