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SI7114ADN-T1-GE3

发布时间:2024/4/15 15:51:00 访问次数:69 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最小工作温度: - 50 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SI7114ADN-GE3

单位重量: 1 g

LP5916A33YENR
BZT03C47-TR
BZT03C150-TAP
BQ27210DRKR
PBHV9115T
TPS79601DRBR
FQD2N80TM
IRFU024PBF
S3DHE3_A/I
2N6394G
20CTQ045STRLPBF
1SMB70AT3G
1SMB70AT3G
V60D100CHM3/I

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