制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 62 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.87 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD60N02R
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 33 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
MTP23P06V
MTP23P06V
BAT54WT1G
BAV99 NXP
BSP76 E6433
1N5386BG
1N5341BG
1N5358BRLG
1N5359BRLG
1N5347BRLG
1N5355BRLG
1N5374BRLG
1N5378BRLG
1N5338BRLG
MPS8099G
TPS7A6533QKVURQ1
TPS7A6533QKVURQ1
TPS7A6050QKVURQ1
PCA9306GM
PCA9306GM
US2JA
