NSS60600MZ4T1G是一款低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件的三极管
品牌：ON（安森美） 封装：SOT-223 引脚数： 4 PIN（ 1000个/圆盘）
NSS60600MZ4T1G的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
NSS60600MZ4T1G
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
1656429834
零件包装代码
SOT-223 (TO-261) 4 LEAD
包装说明
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数
4
制造商包装代码
0.0318
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
64 weeks
风险等级
0.93
Samacsys Description
ON Semi NSS60600MZ4T1G PNP Bipolar Transistor, -6 A, -60 V SOT-223
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
7
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
6 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
70
JEDEC-95代码
TO-261AA
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
最大关闭时间（toff）
685 ns
最大开启时间（吨）
280 ns
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑IC等，这边有ON，ST，TI，NXP，ADI，美台，英飞凌和微芯等一系列的原装进口的电子元器件，这边也有国产品牌，如果你这边有需要的话，也是可以添加我们的联系方式。如果你这边有需要的话，或者有技术上的问题，也是添加上面的联系方式
NSS60600MZ4T1G
ON(安森美)
PLT10HH1026R0PNL
MURATA(村田)
PTN78000WAS
TI(德州仪器)
SGM3005XMS/TR
SGMICRO(圣邦微)
TC4428EOA
Microchip(微芯)
TLV1117-33IKVURG3
TI(德州仪器)
TPS3710DSER
TI(德州仪器)
TPS61097A-33DBVR
TI(德州仪器)
XCZU5EV-1SFVC784I
XILINX(赛灵思)
293D107X9010C2TE3
Vishay(威世)
AT25128B-SSHL-B
Microchip(微芯)
ATSAMD20E18A-MU
Atmel(爱特梅尔)
IC-HD7
LMX2470SLEX
NS(国半)
OPA690IDR
TI(德州仪器)
SN74ALVC244PWR
TI(德州仪器)
STM32G071CBU6TR
ST(意法)
TLV7011DCKR
TI(德州仪器)
293D227X9010D2TE3
Vishay(威世)
INA826AIDGK
TI(德州仪器)
L6225DTR
ST(意法)
LM2575S-ADJ
NS(国半)
MT48LC4M32B2B5-6AIT:L
micron(镁光)
MXL608-AG-T
Maxlinear（迈凌）
NVD5C464NT4G
ON(安森美)
PI3USB302-AZBEX
Diodes(美台)
PIC16F1503-E/ST
Microchip(微芯)
SGM8199A1XC6G/TR
SGMICRO(圣邦微)
TCM2-33X+
Mini-Circuits
THGBMHG8C2LBAIL
TOSHIBA(东芝)
UCC37324DR
TI(德州仪器)
VUO86-12NO7
IXYS(艾赛斯)
XC7Z030-1SBG485I
XILINX(赛灵思)
10CX085YU484I6G
INTEL(英特尔)
2016L030DR
Littelfuse(力特)
32.768KHZ
SEIKO(精工)
3266W-1-104LF
Bourns(伯恩斯)
74LVC125ABQ
Nexperia(安世)
BA4580RF-E2
Rohm(罗姆)
BAS21DW5T1G
ON(安森美)
BDX53C
ST(意法)
CC2650F128RGZR
TI(德州仪器)
HM2103NLT
Pulse(YAGEO)
LM536015QDSXRQ1
TI(德州仪器)
LPS3015-222MRC
Coilcraft(线艺)
LSM6DS0TR
ST(意法)
MMSZ5228BT1G
ON(安森美)
NCP81269MNTXG
ON(安森美)
PCF85134HL/1
NXP(恩智浦)
PMBTA06
Philips(飞利浦)
RK860-2
RockChip(瑞芯微)
SIC631CD-T1-GE3
Vishay(威世)
STM32F103C6T7A
ST(意法)
TDA51S-41HC
MORNSUN(金升阳)
TMUX1136DGSR
TI(德州仪器)
TPS54540QDDARQ1
TI(德州仪器)
TPS767D301MPWPREP
TI(德州仪器)
TS3A24159DRCR
TI(德州仪器)
W25Q32JVSIQ
WINBOND(华邦)
XC6219B182MR
TOREX(特瑞仕)
AD8015ARZ-REEL7
ADI(亚德诺)
ADUM141D0BRQZ
ADI(亚德诺)
AT45DB041E-SSHN2B-T
ADESTO(领迎)
ATXMEGA64A4U-AU
Microchip(微芯)
BSZ075N08NS5
Infineon(英飞凌)
DS1314S-2+T&R
Maxim(美信)
LFCN-7200+
Mini-Circuits
LM4041C12IDBZR
TI(德州仪器)
MAX3421EEHJ+T
Maxim(美信)
MJE3055T
Freescale(飞思卡尔)
PTH05060WAH
TI(德州仪器)
SN74CB3T3125PWR
TI(德州仪器)
STP3NK90Z
ST(意法)
24LC128T-I/ST
MIC(昌福)
ACS724KMATR-65AB-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
ADA4898-2YRDZ-R7
ADI(亚德诺)
BCM43217KMLG
Broadcom(博通)
BTS7004-1EPP
Infineon(英飞凌)
DS2Y-S-DC12V
Panasonic(松下)
ECMF02-2HSMX6
ST(意法)
ESP32-C3-MINI-1-H4
ESPRESSIF 乐鑫
FM1808-70-SG
FM(复旦微)
LM4040D25IDBZR
TI(德州仪器)
MBRM110LT1G
ON(安森美)
MC33204DTBR2G
ON(安森美)
ME6211C18M5G-N
Me-TECH(美台高科)
MSP430FR5964IRGZR
TI(德州仪器)
MUR460
ON(安森美)
PIC16F1825T-I/SL
Microchip(微芯)
SL18860DCT
SILICON LABS(芯科)
STHV1600L
ST(意法)
UC3842BVD1R2G
ON(安森美)
VND600SP13TR
ST(意法)
XCS20-3PQ208C
XILINX(赛灵思)
ACPL-244-500E
Avago(安华高)
AD711JNZ
ADI(亚德诺)
AT93C46DN-SH-B
Atmel(爱特梅尔)
CGHV96100F2
CREE(科锐)
LD1117DTTR
ST(意法)
LM3401MM/NOPB
TI(德州仪器)
M24C32-FDW6TP
ST(意法)
MAX6658MSA+T
Maxim(美信)
