FDMS86101DC是一款此 N 沟道 MOSFET ，是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
品牌：ONSEMI（安森美） 封装：QFN-8 引脚数：8 PIN（3000个/圆盘）
FDMS86101DC 的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FDMS86101DC
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001117765
包装说明
QFN-8
制造商包装代码
506EG
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
60 weeks
风险等级
1.01
Samacsys Description
ON SEMICONDUCTOR - FDMS86101DC - MOSFET, N-CH, 100V, 60A, DUAL COOL 56-8
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-11-20 06:17:22
YTEOL
5.9
雪崩能效等级（Eas）
216 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
14.5 A
最大漏源导通电阻
0.0075 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
MO-240AA
JESD-30 代码
R-PDSO-F5
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
5
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
200 A
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑IC等，这边有ON，ST，TI，NXP，ADI，美台，英飞凌和微芯等一系列的原装进口的电子元器件，这边也有国产品牌，如果你这边有需要的话，也是可以添加我们的联系方式。如果你这边有需要的话，或者有技术上的问题，也是添加上面的联系方式
FDMS86101DC
ON(安森美)
PD69101ILQ-TR
Microsemi(美高森美)
SN74HC245N
TI(德州仪器)
LSM6DSOQTR
ST(意法)
STM32F777IIT6
ST(意法)
FAN7688SJX
Fairchild(飞兆/仙童)
PIC16F1823-I/ST
Microchip(微芯)
AM1808EZWTD4
TI(德州仪器)
MRFE6S9060NR1
Freescale(飞思卡尔)
LMC7101BIM5X
NS(国半)
MC9S08AC60CFUE
NXP(恩智浦)
AT27C256R-45JU
Atmel(爱特梅尔)
TUSB3410VF
TI(德州仪器)
CY8C4248LQI-BL583
Cypress(赛普拉斯)
MT41K512M8DA-107:P
micron(镁光)
AR8236-AL1A
Qualcomm(高通)
PVG612S
IR(国际整流器)
L7805CD2T
ST(意法)
MCP3221A5T-I/OT
MIC(昌福)
DS90CR285MTD
TI(德州仪器)
FXMAR2104UMX
ON(安森美)
HCPL-0600
Freescale(飞思卡尔)
H57V2562GTR-75C
MXIC(旺宏)
ST21NFCDXBGARA7
ST(意法)
SAK-TC233LP-32F200NAC
Infineon(英飞凌)
LT1763CS8-1.8
LINEAR(凌特)
IPB014N06N
Infineon(英飞凌)
PCF7938XA/CAAB3800
NXP(恩智浦)
LM2596SX-12
TI(德州仪器)
AD1582BRTZ
ADI(亚德诺)
ATSAMD20J15A-AU
Microchip(微芯)
SAK-TC377TP-96F300SAA
Infineon(英飞凌)
EY82C624
INTEL(英特尔)
EPM7160STI100-10
ALTERA(阿尔特拉)
ADC10D1000CIU
TPS3700DDCR
TI(德州仪器)
INA826AIDGKR
TI(德州仪器)
OPA171AIDBVR
TI(德州仪器)
S29JL064J70TFI000
SPANSION(飞索)
TPS7A9201DSKR
TI(德州仪器)
TPS3106K33DBVR
TI(德州仪器)
UCC27424DR
TI(德州仪器)
PD55003-E
ST(意法)
ACS758LCB-100B-PFF-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
TPS568215RNNR
TI(德州仪器)
B360A-13-F
Opto Diode Corporation
PM-DB2725EX
Holt Integrated Circuits Inc.
DS1302Z+T&R
ADI(亚德诺)
TPS561201DDCR
TI(德州仪器)
OPA364IDBVR
TI(德州仪器)
ESP32-WROOM-32E
ESPRESSIF 乐鑫
TMS320F28379DPTPT
TI(德州仪器)
NCP3063BMNTXG
ON(安森美)
LM358DGKR
TI(德州仪器)
FM24W256-GTR
RAMTRON
KSZ8873MLLI
Micrel(麦瑞)
STR912FAW44X6
ST(意法)
6N137M
ON(安森美)
MBRA130LT3G
ON(安森美)
XC95144XL-10TQG100I
XILINX(赛灵思)
UC3843BVD1R2G
ON(安森美)
SN74AVC16T245DGGR
TI(德州仪器)
FDMS6681Z
Freescale(飞思卡尔)
TXB0106PWR
TI(德州仪器)
DRV8876PWPR
TI(德州仪器)
CD4011BE
TI(德州仪器)
FQD18N20V2TM
ON(安森美)
SC16IS752IPW
NXP(恩智浦)
EM2130L02QI
ALTERA(阿尔特拉)
PIC16F1503T-I/SL
Microchip(微芯)
STTH112U
ST(意法)
TMS320LF2407APGES
TI(德州仪器)
AUIRG4PH50S
IR(国际整流器)
PIC18F25K20-I/SS
Microchip(微芯)
VSC8504XKS-05
Microchip(微芯)
DRV8841PWPR
TI(德州仪器)
BAW56LT1G
ON(安森美)
LTM4650IY#PBF
ADI(亚德诺)
FT231XS-R
FTDI(飞特帝亚)
TMS320F28375DPZPS
TI(德州仪器)
OMAPL138EZWTA3
TI(德州仪器)
IKW50N60T
Infineon(英飞凌)
PC28F256P30BFE
INTEL(英特尔)
STM32F207IGH6
ST(意法)
TCAN1042VDRBRQ1
TI(德州仪器)
MC34072DR2G
ON(安森美)
NCP302045MNTWG
ON(安森美)
STM32F437ZIT6
ST(意法)
NCV8675DS50R4G
ON(安森美)
STM32F446ZET6
ST(意法)
TAS5707PHPR
TI(德州仪器)
LM2576T-5.0
TI(德州仪器)
OPA227U/2K5
TI(德州仪器)
LM386MX-1
NS(国半)
ATMEGA8535-16PU
Atmel(爱特梅尔)
AD797ARZ
ADI(亚德诺)
LM224N
XINBOLE(芯伯乐)
10CL055YF484C8G
ALTERA(阿尔特拉)
NCP1200D100R2G
ON(安森美)
MT41J128M16JT-093:K
micron(镁光)
5M2210ZF256C5N
ALTERA(阿尔特拉)
AD8041ARZ
ADI(亚德诺)
DRV8837CDSGR
TI(德州仪器)
ATMEGA164PA-AU
Atmel(爱特梅尔)
STM32F303VBT6
ST(意法)
MK60DN512ZVLL10
NXP(恩智浦)
STM32H723ZET6
ST(意法)
CPC1988J
IXYS(艾赛斯)
LM1117IDTX-3.3
TI(德州仪器)
MCF5234CVM150
NXP(恩智浦)
STM32L151VCT6
ST(意法)
