2SB1132 BAR SOT89
ROHM/JSCJ/SHIKUES/Hoteech/Slkor
三极管 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 180-390 PNP,Vceo=-32V,Ic=-1A,hfe=180~390,丝印BAR
VCBO集电极基极电压-40 V
VCEO集电极-发射极电压-32 V
VEBO发射极基极电压-5 V
IC集电极电流-连续-1 A
PC收集器功耗500 mW
2SB1132 BAR 美森科
5N10 MSKSEMI
AP10TN135N 美森科
S1M MSKSEMI
RS1D 美森科
RS1J MSKSEMI
RS1M 美森科
US1D MSKSEMI
NUP4201MR6T1G 美森科
2SB1132 BAR MSKSEMI
