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IPD30N10S3L-34

发布时间:2023/11/29 10:47:00 访问次数:51 发布企业:深圳市芯天和半导体有限公司

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH-SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C

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