BSS138LT1G是一款 MOS管，N沟道, 品牌：ON/1安森美 封装：SOT-23（3000个/圆盘）
低电压应用 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板间 •无铅包可用
漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：225mW 类型：N沟道 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@5V,200mA Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理 便携式和电池供电产品，如电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话。 低阈值电压（VGS（TH） ：0.5 V-1.5 V）使得它非常适合。
参数名称
参数值
Source Content uid
BSS138LT1G
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
2014175881
零件包装代码
SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包装说明
ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
318-08
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
66 weeks
风险等级
0.38
Samacsys Description
MOSFET N-Channel 50V 0.2A SOT23 ON Semiconductor BSS138LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
0.2 A
最大漏源导通电阻
3.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.225 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑IC等，这边有ON/安森美一些型号
MMBT4403LT1G
MMBT3906LT1G
NSR0320MW2T1G
NL17SZ08DFT2G
NTR4502PT1G
NSS40302PDR2G
1SMB5926BT3G
NLV74HC164ADTR2
FDC2512
FSDM311A
NCV887001D1R2G
FDC6420C
NSR07540SLT1G
MBR0540T3G
MMBT3904LT1G
MM3Z9V1ST1G
FQPF27P06
MC74HC595ADR2G
NRVBM140T1G
NRVB2H100SFT3G
FDY300NZ
NCV6323BMTAATBG
MBRS1100T3G
MUR860G
SZNUP3105LT1G
TL431CDR2G
MC74VHC14DTR2G
SNRVUD620CTT4G
FDD4243
NVTFS5116PLTAG
CPH6350-TL-W
MC33072DR2G
