集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V 集电极—射极饱和电压 1.95 V
在25 C的连续集电极电流 130 A 栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 445 W 最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 34MM 栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
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英飞凌IGBT模块（BSM100GB60DLC）
发布时间:2013/9/14 11:40:00 访问次数:264
英飞凌IGBT模块（BSM100GB60DLC） ，
EUPECBSM100GB60DLC
产品 IGBT Silicon Modules 配置 Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V 集电极—射极饱和电压 1.95 V
在25 C的连续集电极电流 130 A 栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 445 W 最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 34MM 栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V 集电极—射极饱和电压 1.95 V
在25 C的连续集电极电流 130 A 栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 445 W 最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 34MM 栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
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