IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF
产品属性 类型 描述 选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRF530
以下是IRF530NSTRLPBF的一些特点：
高功率处理能力：IRF530NSTRLPBF能够承受较高的功率，具有最大112W的功率处理能力，适用于需要处理大功率的应用。
低导通电阻：该晶体管具有低导通电阻，能够提供较低的导通压降，有利于减小功耗和提高效率。
低输入电容：IRF530NSTRLPBF具有较低的输入电容，减少了输入信号的响应延迟，提高了开关速度。
快速开关时间：该晶体管具有较快的开关速度，能够迅速地将输出信号从低电平切换到高电平或从高电平切换到低电平。
高耐压特性：IRF530NSTRLPBF具有较高的耐压特性，最大耐压为100V，使其能够应对高压应用场景。
封装形式：该晶体管采用TO-220封装，便于焊接和安装，适用于现有的电路设计和布局。
应用广泛：由于IRF530NSTRLPBF具有高功率处理能力和快速开关速度，因此广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、汽车电子和工业控制等领域。
总的来说，IRF530NSTRLPBF是一款高功率处理能力、低导通电阻和快速开关特性的N沟道MOSFET功率晶体管，适用于需要处理大功率和快速开关的各种应用场景。
