bychip可替代IPD26N06S2L-35导读
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。
IPD26N06S2L-35" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO?）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。
以P型半导体为衬底，在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上，通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。
VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。 3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。
IPD26N06S2L-35" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
IRF4905PBF
是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。ID(导通电流) 最大漏源电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
IPD26N06S2L-35" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。其中一个称为source，另一个称为drain。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。
事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。场效应管通过投影 P沟道mos管符号 P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。
文章来源： www.bychip.cn
