AOD4144-MS TO-252场效应管NMOS电压控制电阻
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A AOD4144-MS 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A
AOD4144-MS采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
一般功能
VDS=30V ID=60 A
RDS（ON）<8.5mΩ@VGS=10V
蓄电池保护
负载开关
不间断电源
P4200SB-MS MSKSEMI
P4200SC-MS 美森科
PESDNC2FD5VB MSKSEMI
PTVSHC3D5VU 美森科
SMF7.0A-MS MSKSEMI
SMF8.0A-MS 美森科
SMF9.0A-MS MSKSEMI
SMF10A-MS 美森科
SMF12A-MS MSKSEMI
AOD4144-MS 美森科
