制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.45 V
在25 C的连续集电极电流:
65 A
栅极—射极漏泄电流:
400 nA
Pd-功率耗散:
175 W
封装 / 箱体:
Module
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
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