DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: X2-DFN1010-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 4.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.26 W
通道模式: Enhancement
系列: DMN10
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 93 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 1 mg