8Gb (TwinDie) DDR3L SDRAM (1.35V)使用两个
美光4Gb DDR3L SDRAM x8芯片，用于一个2字节x16芯片。参考美光的4Gb DDR3L
SDRAM数据表(x8选项)的规格不详
本文档中包含底座部件的规格说明
编号MT41K512M8与TwinDie制造制造基础零件编号MT41K512M16相关。
特性
•使用两个x8, 4Gb微米芯片，使一个x16包年龄
-单排TwinDie
-一个外部ZQ球和一个内部ZQ连接器通过嵌入式串口连接器连接到VSSQ
•VDD = VDDQ = 1.35v (1.283-1.45v)
•向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V
•差分双向数据频闪
•8n位预取架构
•差分时钟输入(CK, ck#)
•8家内部银行
•标称和动态模内终止(ODT)
用于数据、频闪和掩码信号
•可编程CAS (READ)延迟(CL)
•可编程发布CAS附加延迟(AL)
•可编程CAS (WRITE)延迟(CWL)
•固定爆发长度(BL)为8，爆发斩(BC)为4
(通过模式寄存器设置[MRS])
•可选择BC4或BL8在线(OTF)
•自我刷新模式
•-40°C至+105°C的TC
- 64ms, 8192周期刷新- 40°C至+85°C
- 32ms +85°C至+105°C
•自刷新温度(SRT)
•自动刷新(ASR)
•写调平
•多用途寄存器
•输出驱动器校准
•AEC-Q100
•PPAP提交
•8D响应时间
