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K4B4G1646E-BYMA

发布时间:2023/5/9 11:15:00 访问次数:28 发布企业:深圳市利源芯科技有限公司

4Gb DDR3 SDRAM E-die结构为32Mbit x 16I/ o x 8bank,
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
传输速率高达1866Mb/sec/pin (DDR3-1866),适用于一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR3 SDRAM功能功能,如贴附CAS,可编程CWL,内部(自)校准,
使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部最终提供的差分时钟同步。输入锁存于不同时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一对双向频闪灯(DQS和DQS)在一个源同步闪光灯离子。地址总线用于传递行、列和银行地址
RAS/CAS多路复用方式的信息。DDR3设备运行
单路1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)电源
和1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V) VDDQ。
4Gb DDR3L E-die器件提供96ball FBGAs(x16)。

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