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数据列表：IRFD120
标准包装：2,500
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 780mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：360pF @ 25V
功率 - 最大：1.3W
安装类型：通孔
封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装：管件
其它名称：*IRFD120PBF
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