FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.3A（Ta），17.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1110 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7172
