Infineon 650V TRENCHSTOP™ 6沟槽式场截止IGBT可将总损耗降低多达20%，非常适合用于小功率电机驱动器。该IGBT具有较大的短路额定电流和650V的更高阻断电压，因此对于实现稳健设计而言至关重要。
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220FP-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 34 A
Pd-功率耗散: 35.3 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT6
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 17 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKA15N65ET6 SP001701336
单位重量: 2.208 g
