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4N60L-TO220F3T-TGE_UTC代理商

发布时间:2023/3/16 11:47:00 访问次数:28 发布企业:深圳市芯脉实业有限公司

4N60L-TO220F3T-TGE_UTC代理商导读

启动电容建议选用电解电容(供电)和SMD 陶瓷电容(高频滤波)并联配套使用,启动电容可选2.2~10uF 的电容,SMD 陶瓷选用100nF。

为保护功率MOSFET 不受损坏,IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。当VCC 电压高于26V 时,gate 信号立即停止ON/OFF,功率管关闭。


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UT6401L-SC59.6R-TG

为了避免上述误动作发生,推荐VCC 电容尽量不要采用过低值,VCC电容值越大,待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题,因为IC 本身含有高压启动开关,具有大电流恒流充电特性。。

75185G SSOP-20 T/R.TL431K-2 TO-92.ZD5.1G SOD-123 T/R.UT4421G SOP-8 T/R.2SC1815L-BL-A TO-92 T/B.6N65L-P TO-251S.M54123LG-A SOP-8 T/R.U74AHC14G TSSOP-14 T/R.2SC5353BL TO-126C .4051G SOP-16 T/R 。

U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。

(2)根据不同的工艺又分为 Trench MOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内; SGT (Split Gate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内; SJ MOS:超结MOS,主要在高压领域 600-800V;。(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。


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UTC代理商

UCS165XS 是一款最新的PWM IC,利用混合操作模式(PWM/PFM/Burst)达到高效率,满足六级能效标准。。其具有高压启动功能,方便客户满足待机效率的六级能效设计。

UPC817BG-DIP4T-TG\ULN2803G-SOP18R-TW2G\TL431K-TO92B-1TSG\UK2751G-SOT723R-TG\K1109G-SOT23.3R-J35-CTG。

MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。

BSS138G-SOT23.3R-TG\2SD669AG-SOT89R-C-TG\UP3855G-SOT223R-TG\U74LVC1G3157G-SOT363R-TG\DTC143TL-SOT323R-TG\TL431NSG-SOT23.3R-ATG\TL431G-SC59.3R-1TG\U74LVC1G17G-SOT353R-TG\TL431G-SOT23.3R-ATTG\UTN2010ZG-SOT89R-TG\7N50G-TO252R-TGTC\DTA114EG-SOT323R-TG\U74AHC1G08G-SC59.5R-TG。

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并以最小频率工作。待机:FB 调整芯片工作在Burst mode 里,并控制CS 值。

UCS165XS 的CS 脚位是用来检测流过变压器初级侧也就是MOSFET 源极的电流,当输出发生过电流的情况时,CS 脚位检测Sense 电阻Rcs 的电压达到设定值,会立即关闭功率管,对电路进行保护,若是输出短路或者开关机时,检测到GATE 脉宽大于7.7uS,CS 检测电压达到1V 时,会关闭功率管,若GATE 脉宽小于7.7uS 时,CS 检测电压阈值自动按照GATE 脉宽等比例修正缩小,零GATE 脉宽对应的CS 检测电压阈值为0.72V,避免高压输入输出短路时功率管源漏压差Vds 过高。


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