UPA652TT-E1-A

价格：特价

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公司地址：深圳市福田区华强北都会100大厦B座26U
参数名称 参数值
Source Content uid UPA652TT-E1-A
Brand Name Renesas
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1422407037
零件包装代码 WSOF
包装说明 ,
针数 6
制造商包装代码 PWSF0006JB-A6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 5A002
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 9.62
Samacsys Description P-Channel Mos Field Effect Transistor For Switching
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2022-04-28 13:17:55
配置 SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2 A
最大漏极电流 (ID) 2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e6
元件数量 1
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 TIN BISMUTH
参数规格与技术文档 全部数据手册技术文档 全部 全部 数据手册 技术文档 下载: UPA652TT-E1-A Renesas Electronics Corporation 下载: UPA652TT-E1-A Renesas Electronics Corporation 相关器件 UPA652TT-E1-A