制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H2PAK-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 315 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
系列: STH315N10F7-2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 40 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 108 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 148 ns
典型接通延迟时间: 62 ns
单位重量: 4 g
制造商:
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H2PAK-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 315 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
系列: STH315N10F7-2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 40 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 108 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 148 ns
典型接通延迟时间: 62 ns
单位重量: 4 g
