BC337L-TO92B-16-TG_UTC代理商导读
UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
逻辑电路具有逻辑运算和逻辑处理功能，并且可用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算。
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L8200AG-QFN16.3030R-TG
客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
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UTC代理商
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ\BC807G-SOT23.3R-25-TG\1N4148L-SOD123R-TG\MC34063AG-SOP8R-1TG\CD4069G-SOP14R-TG 。
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG\TL431NSG-SC59.3R-ATG\LR2125G-SC59.5R-AD-TG\UT3N01ZG-SOT323R-TG\LD1117AG-TO252R-18-ATG\UT2302G-SC59.3R-TG。
UPC817BG-DIP4T-TG\ULN2803G-SOP18R-TW2G\TL431K-TO92B-1TSG\UK2751G-SOT723R-TG\K1109G-SOT23.3R-J35-CTG。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
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。輕載：FB 调整芯片工作在Green mode 里，并調整Tsw 和CS 值。
由于FB 为补偿脚位，因此建议补偿电容采用X7R 系列，以便抑制容值温漂产生的影响问题。FB 為光耦输出端，在IC 内部接上拉电阻RFB=23kohm 到内部电源5.6V。FB 脚位补偿电容有利于环路稳定。
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