品牌：VISHAY/威世
型号：SIS443DN-T1-GE3
产品种类：MOSFET
RoHS：是
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PowerPAK-1212-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续漏极电流：35 A
Rds On-漏源导通电阻：11.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-栅极电荷：90 nC
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：52 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
系列：SIS
晶体管类型：1 P-Channel
正向跨导 - 最小值：50 S
下降时间：10 ns, 12 ns
上升时间：10 ns, 40 ns
典型关闭延迟时间：48 ns,50 NS
典型接通延迟时间：12 ns, 45 NS
单位重量：339.505 mg
