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DRV8343SPHPRQ1

发布时间:2023/3/1 17:19:00 访问次数:36 发布企业:深圳市金启宁科技有限公司

1说明

DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅 极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动 器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用 源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压,并使用线性稳压 器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能 栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电 源供电,支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入 电源电压范围。 6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电 路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配 置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器, 可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。 提供了低功耗睡眠模式,实现较低的静态电流消耗。针 对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过 热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。

2特性

1• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 – 温度等级 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C • 3 个独立半桥栅极驱动器 – 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制 – 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS) • 智能栅极驱动架构 – 可调转换率控制 – 1.5mA 至 1A 峰值源电流 – 3mA 至 2A 峰值灌电流 • 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵 • 3 个集成式电流检测放大器 (CSA) – 可调增益(5、10、20、40 V/V) – 双向或单向支持 • 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口 • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式 • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入 • 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET • 3.3V、30mA 线性稳压器 • 集成式保护 特性 – VM 欠压锁定 (UVLO) – 电荷泵欠压 (CPUV) – 电池短路 (SHT_BAT) – 接地短路 (SHT_GND) – MOSFET 过流保护 (OCP) – 栅极驱动器故障 (GDF) – 热警告和热关断 (OTW/OTSD) – 故障状态指示器 (nFAULT)

3 应用

• 12V 与 24V 汽车电机控制 应用 – BLDC 和 BDC 电机模块 – 风扇和风机 – 燃油泵和水泵 – 电磁阀驱动器

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