参数名称
参数值
Source Content uid
IPW65R110CFDA
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1205102588
零件包装代码
TO-247
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
6.74
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
6.55
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）
845 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (ID)
31.2 A
最大漏源导通电阻
0.11 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
99.6 A
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
NO
端子面层
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
