ATXMEGA256A3-MHR
参数名称 参数值
Source Content uid ATXMEGA256A3-MHR
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 4001784260
包装说明 9 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, MO-220VMMD, QFN-64
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Thailand
ECCN代码 5A992.C
HTS代码 8542.31.00.01
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 6.62
Samacsys Manufacturer Microchip
Samacsys Modified On 2021-02-11 10:24:56
YTEOL 3
具有ADC YES
其他特性 ALSO OPERATES AT 1.6V MINIMUM SUPPLY AT 12 MHZ
地址总线宽度
位大小 16
边界扫描 YES
CPU系列 AVR RISC
最大时钟频率 16 MHz
DAC 通道 YES
DMA 通道 YES
外部数据总线宽度
格式 FIXED POINT
集成缓存 NO
JESD-30 代码 S-PQCC-N64
JESD-609代码 e4
长度 9 mm
低功率模式 YES
DMA 通道数量 4
I/O 线路数量 50
串行 I/O 数 7
端子数量 64
计时器数量 7
片上数据RAM宽度 8
片上程序ROM宽度 16
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
PWM 通道 YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVQCCN
封装等效代码 LCC64,.35SQ,20
封装形状 SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
RAM（字节） 16384
ROM（单词） 131072
ROM可编程性 FLASH
座面最大高度 1 mm
速度 32 MHz
最大压摆率 18 mA
最大供电电压 3.6 V
最小供电电压 2.7 V
标称供电电压 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.5 mm
端子位置 QUAD
宽度 9 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC
新的 SiC 生产设施
2022 年 8 月，onsemi 在新罕布什尔州哈德逊开设了 SiC 工厂，以在供应受限的环境中建立垂直整合的设置。该生产设施将使 onsemi 全面控制其 SiC 制造供应链，从采购 SiC 粉末和石墨原材料到交付完全封装的 SiC 器件。因此，onsemi 预计到 2022 年底将其产能同比提高五倍，同时将 Hudson 的员工人数翻两番。
一个新的碳化硅晶圆厂
2022 年 10 月，从事 SiC 半导体开发超过 25 年的 STMicroelectronics 宣布将在意大利卡塔尼亚工厂建设 SiC 衬底制造工厂，以支持汽车和工业应用对 SiC 器件日益增长的需求。SiC 衬底制造设施与卡塔尼亚现有的 SiC 器件制造设施一起建造，将于 2023 年开始生产 150 毫米 SiC 外延衬底。
预计这将使卡塔尼亚成为 SiC 半导体的研究、开发和制造中心。ST 还暗示将在不久的将来开发 200 毫米 SiC 晶圆。这家欧洲芯片制造商目前正在其位于卡塔尼亚和新加坡宏茂桥的工厂生产大量STPOWER SiC 产品，而 SiC 组装和测试则在中国深圳和摩洛哥 Bouskoura 的后端工厂进行。
晶圆供应协议
射频和功率半导体供应商 Qorvo 与 SK Siltron CSS 签署了 SiC 裸晶圆和外延晶圆的多年供应协议，这也体现了 SiC 衬底的至关重要性。SK Siltron CSS 提供的化合物半导体晶圆解决方案有望增强对 Qorvo第 4 代 SiC FET产品的保护和信心。
随着SiC衬底的产能建设，2023年很可能成为SiC半导体和功率模块的元年。
