ON Semiconductor SZNUP2128WTT1G
品牌 安森美 封装 MID 批号 21+ 数量 363000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS 是 极性 Bidirectional 工作电压 24 V 通道数量 2 Channel 端接类型 SMD/SMT 封装 / 箱体 SC-70-3 击穿电压 26.2 V 钳位电压 50 V 峰值脉冲功耗 (Pppm) 200 W Vesd - 静电放电电压触点 30 kV Vesd - 静电放电电压气隙 30 kV Cd - 二极管电容 10 pF Ipp - 峰值脉冲电流 3 A 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C 系列 NUP2125 资格 AEC-Q100 单位重量 6 mg 可售卖地 全国 型号 SZNUP2125WTT1G
MAX4080SASA+T 20K
ICL7665AESA+T 5K
MAX1231BEEG+T 10K
TEA19161T/2Y 10K
ICE2PCS01G 15K
STM32G0B1RBT6 30K
STM32G070RBT6 30K
MAX3280EAUK+T 10K
MAX291ESA+T 2.5K
DS1390U-33+T&R 30K
XC7S50-2FGGA484C 300PCS
TXB0108RGYR 18K
TPS74801DRCR 21K
TPS62135RGXR 15K
TPS259271DRCR 21K
SN74AVC2T244DQER 20K
LM5175RHFR 6K
XC7S15-2FTGB196C 3150个
ON Semiconductor SZNUP2128WTT1G技术参数
品牌：
ON/安森美
型号：
SZNUP2125WTT1G
封装：
MID
批号：
21+
数量：
363000
制造商：
ON Semiconductor
产品种类：
ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS：
是
极性：
Bidirectional
工作电压：
24 V
通道数量：
2 Channel
端接类型：
SMD/SMT
封装 / 箱体：
SC-70-3
击穿电压：
26.2 V
钳位电压：
50 V
峰值脉冲功耗 (Pppm)：
200 W
Vesd - 静电放电电压触点：
30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙：
30 kV
Cd - 二极管电容 ：
10 pF
Ipp - 峰值脉冲电流：
3 A
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C
系列：
NUP2125
资格：
AEC-Q100
单位重量：
6 mg
