IRFH8311TRPBF，全新原装现货，终端价更优。
类别 分立半导体产品 单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4960 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（5x6）
封装/外壳
8-TQFN 裸露焊盘
基本产品编号
IRFH8311
