类别 分立半导体产品 单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
QFET®
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 15.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
72 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），180W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
深圳市腾浩伟业电子有限公司
TEL：13420935820
