类别 分立半导体产品 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.9 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 30 V
FET 功能
标准
功率耗散（最大值）
66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.15）
封装/外壳
8-PowerVDFN
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