类别 分立半导体产品 单 IGBT
制造商
Infineon Technologies
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）
1.75V @ 15V，75A
功率 - 最大值
395 W
开关能量
2.4mJ（开），950μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
164 nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/144ns
测试条件
400V，75A，18 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
85 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
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