STW10NK60Z 技术规格
制造商STMicroelectronics
产品种类MOSFET 功率
RoHS是
配置Single
晶体管极性N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.75 Ohms
正向跨导 gFS(最大值/最小值)7.8 S
汲极/源极击穿电压600 V
闸/源击穿电压+/- 30 V
漏极连续电流10 A
功率耗散156 W
最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-247
封装Tube
下降时间30 ns
最小工作温度- 55 C
上升时间20 ns
Standard Pack Qty30
STW10NK60Z