参数名称
参数值
Source Content uid
PDZ7.5B,115
Brand Name
NXP Semiconductor
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1814358779
零件包装代码
SOD
包装说明
R-PDSO-G2
针数
2
制造商包装代码
SOD323
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
风险等级
2.16
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
10 Ω
JESD-30 代码
R-PDSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.4 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
7.5 V
最大反向电流
0.5 μA
子类别
Voltage Reference Diodes
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
电压温度Coeff-Max
4 mV/°C
最大电压容差
2.15%
工作测试电流
5 mA
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