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FZ400R33KL2C-B5

发布时间:2022/9/29 17:03:00 访问次数:35 发布企业:苏州银邦电子科技有限公司

FZ400R33KL2C-B5


品牌:英飞凌

电流:400A

电压:3300V

工作温度(Max):125 ℃

工作温度(Min):-40 ℃

安装方式:螺丝型

包装方式:标准封装

货期期:2-3天

库存:1000
发货地:江苏苏州









IGBT的内部结构及特点:

本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET

的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,

载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明

电路、牵引传动等领域。
IGBT比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管电流的特性。但它也有两个缺点:由于有两个串联的PN结,它的饱和压降比较高,

另外,IGBT有比较长的拖尾电流,会增加开关损耗。拖尾电流使它的开关频率限制在20kHz以下。因其开关频率刚好超过人的听觉范围,所以把它用在驱动

工业电动机上很理想。
IGBT已经成为很多半导体公司的研究目标,它的拖尾时间也已经大大缩短了。原先,拖尾时间是us级,现在已经是ns级了,而且还将继续缩短。饱和电压也

从大约4V降低到2V。虽然在低电压DC-DC变换器中,IGBT的使用还成问题,但在离线式和工业大功率变换器上有很大的需求。
IGBT与MOSFET有相同的栅极驱动特性,MOSFET的驱动IC用在IGBT上也可以很好地工作。
英飞凌 FD650R17IE4D_B2
英飞凌 DF650R17IE4
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英飞凌 FD400R07PE4R_B6
英飞凌 FD200R12PT4_B6
英飞凌 DF200R12PT4_B6



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