Source Content uid FDC5614P
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期 Active
Objectid 4001115572
包装说明 LEAD FREE, SUPERSOT-6
制造商包装代码 419BL
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
风险等级 1.09
Samacsys Description ON SEMICONDUCTOR - FDC5614P - MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -60 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.6 V
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2019-11-11 23:46:33
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A
最大漏源导通电阻 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
