第 4 代 750 V SiC FET 有助于实现新一代电源设计

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UnitedSiC 的第 4 代 750 V SiC FET 拥有业界最佳的“品质因数”，适用于各种软开关和硬开关电源应用

UnitedSiC的 UJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列基于独特的共源共栅配置，额定电压为 750 V，并提供 6 mΩ 至 60 mΩ 的产品选型。产品可提供卓越的性能指标，可降低传导损耗，并在更高速度下实现更高效率，同时还可提高整体成本效益。每个给定 RDS(on)的 Eon和 Eoff损耗均得到了改善，同时开关性能和 Qrr也得到了提升。此外，Eoss和 Coss的减少也降低了总损耗。产品可以用标准的 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全地驱动。真正的 5 V 阈值电压可保持良好的阈值噪声容限，并且与前几代产品一样，这些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下工作。产品还包括一个内置的 ESD 栅极保护夹。多个器件获 AEC-Q101 认证。

特性 低 RDS(on)：6 mΩ 至 60 mΩ 关键品质因数体现了新一代高性能电源设计 出色的 RDS(on)x 面积参数 给定 RDS(on)下 Qrr和 Eon/Eoff损耗的改善 同时降低了 Coss(er)/Eoss和 Coss(tr) 6mΩ 时产品的短路耐受时间为 5μs 5 V VTH、±20V VGS(max)、ESD 保护 标准（0 V 至 12 V）或 SiC FET 栅极驱动器（双极） 出色的反向恢复 低体二极管 低栅极电荷 TO247-3L、TO247-4L 和 D2PAK-7L 行业标准封装 多个器件获 AEC-Q101 认证。 应用 汽车：牵引逆变器；车载充电器；直流/直流转换器 IT 基础设施：PFC、DC/DC 转换器 可再生能源：太阳能逆变器；能源储备