PD57006TR-E

PD57006TR-E
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
工作频率: 1 GHz
增益: 15 dB
输出功率: 6 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 3.5 mm
长度: 7.5 mm
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD57006-E
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
宽度: 9.4 mm
单位重量: 3 g
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