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MMBF170LT1G

发布时间:2022/8/4 10:05:00 访问次数:39

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
MMBF170

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