类别
分立半导体产品
晶体管-UGBT、MOSFET-单
制造商
InfineonTechnologies
系列
TrenchStop
包装
管件
ProductStatus
在售
IGBT类型
沟道
电压-集射极击穿（最大值）
650V
电流-集电极(Ic)（最大值）
80A
电流-集电极脉冲(Icm)
300A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）
1.75V@15V，75A
功率-最大值
395W
开关能量
2.4mJ（开），950μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
164nC
25°C时Td（开/关）值
40ns/144ns
测试条件
400V，75A，18欧姆，15V
反向恢复时间(trr)
85ns
工作温度
-40°C~175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW75N65
TPS7B4250QDBVRQ1
DP83822IRHBR
AD7732BRUZ
MK64FX512VLL12
TMS320F28062PZT
