位置:51电子网 » 企业新闻

晶体管 MOSFET BSZ033NE2LS5ATMA1

发布时间:2022/7/26 9:54:00 访问次数:37 发布企业:深圳市金嘉锐电子有限公司

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 13.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS 5

封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 2 ns
正向跨导 - 最小值: 46 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
系列: OptiMOS 5

包装数量:
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 3.3 mm

上一篇:SN74LVC2G06DRYR

下一篇:ISO7742DWR

相关新闻

相关型号