类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，40A
功率 - 最大值
349 W
开关能量
820μJ（开），260μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
119 nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/92ns
测试条件
400V，40A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
42 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
基本产品编号
FGA40N65
