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FZ1000R12KF4

发布时间:2022/7/19 16:04:00 访问次数:53 发布企业:苏州银邦电子科技有限公司

FZ1000R12KF4

品牌:英飞凌

电流:1000A

电压:1200V

工作温度(Max):125 ℃

工作温度(Min):-40 ℃

安装方式:螺丝型

包装方式:标准封装

货期期:2天

库存:600
发货地:江苏苏州









IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率

半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,

开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的

变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。简单来说,IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管,

它的简化等效电路如图(b)所示,图中的RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效电路可以清楚地看出,

IGBT是用晶体管和MOSFET组成的达林顿结构的复合器件。冈为图中的晶体管为PNP型晶体管,MOSFET为N沟道场效应晶体管,所以这种结构的IGBT

称为N沟道IIGBT,其符号为N-IGBT。类似地还有P沟道IGBT,即P- IGBT。


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FZ1200R12KF5
FF300R17KE4P



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