制造商编号：DMG3420U-7
制造商：Diodes Incorporated
说明：MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.47 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Qg-栅极电荷: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 740 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 5.3 ns
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.3 ns
系列: DMG3420
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21.6 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
单位重量: 8 mg
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