品牌：英飞凌
电流：20A
电压：600V
工作温度(Max)：125 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
安装方式：螺丝型
包装方式：标准封装
货期期：2天
库存：600
发货地：江苏苏州
苏州银邦电子科技有限公司：
代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及
良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定
互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）
的诚信代理商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、
电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！ 代理品牌：
1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；
4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，
载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、
牵引传动等领域。
简单来说，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管，它的简化等效电路如图(b)所示，图中的RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效电路可以清楚地看出，
IGBT是用晶体管和MOSFET组成的达林顿结构的复合器件。冈为图中的晶体管为PNP型晶体管，MOSFET为N沟道场效应晶体管，所以这种结构的IGBT称为N沟道IIGBT，
其符号为N-IGBT。类似地还有P沟道IGBT，即P- IGBT。
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