IPW60R037CSFD CoolMOS™ 超结 MOSFET 是一款专为满足板外电动汽车充电细分市场而量身定制的优化器件。由于低栅极电荷（Qg）和改进的开关行为，它在目标市场中提供了最高的效率。除此之外，它还带有一个集成的快速体二极管，并大大降低了反向恢复电荷（Qrr），从而在谐振拓扑中实现了最高的可靠性。由于这些特性，IPW60R037CSFD符合车载电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并且还支持高功率密度解决方案。
• 超快体二极管
• 同类最佳的反向恢复电荷 （Qrr）
• 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
• 最低的 FOM RDS（on） x Qg 和 Eoss
• 同类最佳的 RDS（on）/封装组合
优势：
• EV 充电应用的最佳匹配效率
• 实现更高的功率密度
• 最高的可靠性水平
• 可以选择合适的 RDS（on） 封装组合
EV 充电 - 针对移相全桥 （ZVS）、LLC 和 PFC 应用进行了优化。适用于软交换和硬交换拓扑。
产品状态
活跃和首选
断续器
IPW60R037电脑
资格
非汽车
软件包名称
PG-TO247-3
最大 VDS
600 V
RDS（打开）最大值 @10V
37 毫欧
RDS（打开）@4.5V 最大值
ID @25°C 最大值
25 安培
QG 类型@10V
136 nC
QG 类型 @4.5V
特殊功能
极性
N
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
150 °C
VGS（th） my
3.5 V
最大 VGS（千）
4.5 V
VGS（千）
科技
酷摩斯™脑脊髓空洞
