ZXMC10A816N8TC

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 2.1 A, 2.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms, 235 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V, 2 V
Qg-栅极电荷: 9.2 nC, 16.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降时间: 5 ns, 12 ns
正向跨导 - 最小值: 4.8 S, 4.7 S
高度: 1.5 mm
长度: 4.95 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.1 ns, 5.2 ns
系列: ZXMC10A8
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 12.1 ns, 20 ns
典型接通延迟时间: 2.9 ns, 4.3 ns
宽度: 3.95 mm
单位重量: 750 mg